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| 规格书 |
 IPD50N06S4L-08 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 50A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7.8 mOhm @ 50A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 35µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 64nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4780pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 71W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3TO-252 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| RDS -于 | 7.8@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| 典型上升时间 | 2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 典型下降时间 | 8 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| P（ TOT ） | 71W |
| 匹配代码 | IPD50N06S4L-08 |
| R（ THJC ） | 2.1K/W |
| LogicLevel | YES |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 64nC |
| LLRDS （上） | 0.0135Ohm |
| 汽车 | AEC-Q(100) |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 50A |
| V（ DS ） | 60V |
| 技术 | OptiMOS T2 |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0078Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 50A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 35µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.8 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 71W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4780pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 64nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 系列 | IPD50N06 |
| 零件号别名 | IPD50N06S4L08ATMA1 SP000374322 |
| RoHS | RoHS Compliant |
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